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(Small Signal Bipolar Transistors, Medium Power Bipolar Transistors, Pre-biased Transistors)


Neue Power MOS 8 Generation von Microsemi

Microsemi früher APT stellt mit der MOS 8 Familie eine neue Generation von schnellen, Hochspannungsschaltransistoren (N-Kanal) mit einer tiefen EMI-Charaktersistik und tieferen Kosten im Vergleich zur Vorgängergeneration vor.

Diese MOSFET’s / FREDFET’s wurden für hartes und weiches Schalten bei hohen Frequenzen, in Hochspannungsanwendungen über 500 Watt optimiert.

Die FREDFET’s haben eine “fast recovery Body Diode“- Erholungscharakteristik und bessere dv/dt-Fähigkeit auszeichnen.

Die Hauptvorteile der aus bisher aus 15 Typen bestehenden Familie sind:

-  Verbesserte Immunität

   gegen Oszillation und

   reduzierte EMI,

-  tiefer R(Dson),

-  tiefer „Gate Charge“,

-  geringe Schaltverluste,

-  kleinerer Thermowiderstand,

-  „Avalanche Energy rated,

-  hohe Schaltgeschwindigkeit

-  tiefere Kosten.

Ideale Anwendungen bei denen hoher Wirkungsgrad bei grossen Leistungen gefragt ist, sind

Solarinverter,Schweissmaschinen, Plasmaschneidgeräte, Induktionsöfen, USV und Batterieladegeräte