Standard Power Modules, IGBT, MOSFET, Diode
IGBT - all IGBT columns include NPT & Trench
| Configuration | IGBT 600V | IGBT 1200V | IGBT 1700V | MOSFET 75-500V | MOSFET 600-1200V | CoolMOS 600-800V | Diode 200-1700V |
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3 Phase Bridge |
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3 Phase Bridge + Input Rectifier Bridge + Brake + NTC |
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Asymmetrical Bridge |
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Boost Chopper |
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Dual Boost Chopper |
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Buck Chopper |
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Dual Buck Chopper |
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Dual Common Source |
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Triple Dual Common Source |
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Full Bridge |
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Full Bridge + Series and Parallel Diodes |
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Phase Leg |
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Phase Leg + Series Diodes |
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Phase Leg + Series and Parallel Diodes |
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Triple Phase Leg |
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Single Switch |
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Single Switch + Series Diodes |
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Single Switch + Series and Parallel Diodes |
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Single Diode |
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Dual Common Anode Diode |
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Dual Common Cathode Diode |
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Microsemi Power Semiconductor Catalogue:
APPLICATIONS | • PFC and other boost converter
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IGBT
NPT IGBT | Trench Gate IGB |
NPT (Non Punch Through) technology | Trench + Field Stop technology available in 1200 and 1700 volt, for operation up to 20 kHz. |
• Positive temperature coefficient | • Short tail current |
• Low forward voltage drop | • Easy paralleling |
MOSFET/FREDFET & CoolMOS - Modules with SiC Diode included
MOSFET/FREDFET | CoolMOS |
Our latest generation for the lowest on-resistance, gate charge and total losses for a given footprint. | Superjunction technology available in 600V and 800V. |
• Fast recovery body diode (FREDFET) |
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• Low input capacitance | • Latest C3 technology |
• Low Miller capacitance | • Reduced system size, weight and overall cost |
• Low gate charge |
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• Easy to drive |
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• Avalanche energy rated |
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• High threshold voltage |
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Diodes
Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs) | |
• 200 to 1200 volt |
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• Ultra fast recovery times | • High current |
• Soft recovery characteristics | • Low leakage current |
• Very low stray inductance |
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Advanced Power Technology offers Application Specific Power Modules to meet customers specific needs.
More information about custom modules...
Pressebericht:
100 V Power MOSFET Modules:
Advanced Power Technology ergänzt das Angebot ihrer SP3-, SP4- und SP6-Gehäusefamile mit 100V MOSFET-Ausführungen.
Die neuen Module sind als Schalter, "Buck", "Boost", "Dual Common Source", Vollbrücke, asymmetrische Brücke und "Dual Boost" erhältlich. Die Familie wird unter der Typenbezeichnung APTM10xxxxx angeboten.
Der Strombereich dieser Module liegt zwischen 50 bis 600 A @TC = 80°C.
Bei den Einfachschaltern, "Phase leg" und den Vollbrücken werden FREDFET Chips verwendet, die sich durch eine bessere "Body Diode"- Erholungscharakteristik und bessere dv/dt-Fähigkeit auszeichnen. Die für hohen Strom ausgelegten "Single Switch"-Module werden standardmässig mit AIN-Substaten ausgerüstet um die thermischen Eigenschaften zu verbessern.
Die Modulhöhe beträgt nur 12mm bei den SP3- und 17mm bei den SP4- und 6- Modulen.
Durch den geringen parasitären Widerstand und die geringe Impedanz ist bei diesen Modulen ein Betrieb mit relativ hohen Frequenzen möglich.
Die Verwendung von FEDFET's erlaubt harten Schaltbetrieb im Bereich von mehren 10 KHz, ohne Verwendung von Serie- und Parallel-Diodenkombinationen.
Alle Module offerieren einen sehr tiefen thermischen Widerstand, was zu hoher Stromkapazität bei gegebenem RDS (on)-Schaltwiderstand führt.
Hauptanwendungen dieser Produkte sind Motorantriebe, UPS, Stromversorgungen und andere Geräte die mit 24V oder 48V Batterien versorgt werden.
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